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Samsungが第二世代の10nm FinFETプロセスの準備を完了

2017年4月18日、Samsung Electronicsは、同社二世代目の10nm FinFETプロセス「10LPP (Low Power Plus)の生産準備を完了した事を発表した。

プレスリリース文

Samsungによると、「10LPP」は第一世代の「10LPE」プロセスと比べて、最大10%のパフォーマンス、15%の低消費電力を実現するという。

10nmプロセスの開発レースはSamsung,Intel,TSMCの3社がしのぎを削っているが、第二世代目の量産プロセスを立ち上げたのはSamsungが初。Samsungは自社のSoC「Exynos 9」やQualcommのSoC「Snapdragon 835」などを既に「10LPE」で量産中。TSMCはMediaTek, Huawei, AppleのSoCを10nmプロセスで量産する。対するIntelは未だ10nmプロセスでの量産開始には至っていないが、自社の10nm FinFETプロセスのトランジスタ搭載密度は競合の倍であると主張している。

= EDA EXPRESS 菰田 浩 =

(2017/04/27 ) | トラックバック(0)

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