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東芝メモリ、QLC 96層で1.33テラビットのフラッシュメモリ「BiCS FLASH™」を開発

2018年7月20日、東芝メモリはQLC技術を用いた96層積層プロセスの「BiCS FLASH™」を試作した事を発表した。

プレスリリース文

東芝はこれまでTLC(3ビット/セル)96層積層プロセスの「BiCS FLASH™」やQLC(4ビット/セル)64層積層プロセスの「BiCS FLASH™」の開発に成功しているが、96層積層プロセスを適用したQLC製品の試作は今回が初。試作した製品は1チップあたり1.33テラビットの業界最大容量を実現。更に1.33テラビットのチップをひとつのパッケージに16段積層することで2.66テラバイトの大容量を実現することが可能だという。同製品は9月上旬からサンプル提供を開始し2019年に量産開始の予定。
 
東芝メモリ株式会社


= EDA EXPRESS 菰田 浩 =

(2018/07/21 )

 

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