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SK Hynixが世界初となる96層の「4D NANDフラッシュ」を開発、年内量産開始

2018年11月5日、中央日報の記事:

SKハイニックス、96層の4D NAND開発に成功

SK Hynixは世界初となる96層4D NAND型フラッシュメモリーの開発に成功した。 
3D NANDに主に適用されるCFT構造にPUC技術を結びつけ「4D NAND」とした。
PUC技術とは、データを保存するセル領域の下部にセルの作動を掌握する周辺部回路を配置する技術。

「4D NAND」のサイズは従来の72層512GB 3D NANDより30%以上小さい。ウェハーあたりのビット生産も1.5倍向上。同時に処理が可能なデータ量は業界最高水準の64KBと倍増。SK Hynixは「書き込みと読み出しの性能が従来の72層製品よりそれぞれ30%、25%向上した」している。 

96層のNANDフラッシュはSamsungと東芝が今年下半期から量産を開始。SK Hynixは年内に96層4D NANDの量産に入るとしている。

中央日報

= EDA EXPRESS 菰田 浩 =

(2018/11/06 )

 

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